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关于GS25431"反向续流碳化硅MOS场效应晶体管(SiC-MOSFET)BS.235501360"布图设计专有权拟交易公示(2025年09月30日—2025年10月14日)

王运涛     来源:    发布时间: 2025-09-30    点击量:

根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》中关于科技成果转化时通过协议定价的相关规定,经协商,我校拟将以下专利成果进行转化,现将拟交易的专利成果名称、发明人、受让方、转化方式、拟交易价格等信息在产业技术研究院网站上公示,公示期为2025年09月30日—2025年10月14日

自公布之日起15日之内,任何单位或个人对拟交易的专利持有异议的,以书面形式向产业技术研究院提出,并提供必要的证明文件。为便于核实、查证,确保实事求是、公正地处理异议,提出异议的单位或者个人应当表明真实身份,并提供联系方式。个人提出异议的,应当在书面异议材料上签署真实姓名;以单位名义提出异议的,应当加盖本单位公章。凡匿名异议不予受理。

 

特此公告。

联系电话:0510-85329266(内线:29266)

联系科室产业技术研究院专利成果科

邮箱:cyy@jiangnan.edu.cn

产业技术研究院

2025年09月30日


附件:拟交易专利信息

布图设计名称

反向续流碳化硅MOS场效应晶体管(SiC-MOSFET)BS.235501360

完成人

顾晓峰,赵琳娜

经费管理负责人

顾晓峰

受让方

传玺半导体科技(江苏)有限公司

转化方式

专有权转让

拟交易价格

人民币50000元(大写:伍万元整